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Littelfuse力特宣告推出 IX4352NE 低側 SiC MOSFET 及 IGBT 柵極驅(qū)動器
2024-05-23 596次

  Littelfuse力特宣告推出 IX4352NE 低側 SiC MOSFET 及 IGBT 柵極驅(qū)動器。此款具有創(chuàng)新性的驅(qū)動器,是專門為驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET 與高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)而精心設計的。

  

 

IX4352NE低側柵極驅(qū)動器

  

  IX4352NE 的主要優(yōu)點在于其擁有獨立的 9A 拉/灌電流輸出,能夠支持定制化的導通及關斷時序,同時還能把開關損耗減至最低。其內(nèi)部的負電荷調(diào)節(jié)器還可提供用戶可選的負柵極驅(qū)動偏置,以達成更高的 dV/dt 抗擾度以及更快的關斷速度。該驅(qū)動器的工作電壓范圍(VDD - VSS)高達 35V,具備出色的靈活性與性能。

IX4352NE 的一個突出特性是配置了內(nèi)部負電荷泵調(diào)節(jié)器,無需外部輔助電源設備或 DC/DC 轉換器。這一功能對于關閉 SiC MOSFET 尤為實用,能夠節(jié)省掉外部邏輯電平轉換器電路通常所需的寶貴空間。邏輯輸入與標準 TTL 或 CMOS 邏輯電平相兼容,進一步增強了節(jié)省空間的能力。

 

IX4352NE 極為適合在各種工業(yè)應用中驅(qū)動 SiC MOSFET,比如:

●車載和非車載充電器

功率因數(shù)校正(PFC)

●DC/DC 轉換器

●電機控制器

●以及工業(yè)電源逆變器

 

其卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居以及樓宇自動化市場中對電力電子應用有嚴苛要求的理想之選。

憑借其全面的功能,IX4352NE 簡化了電路設計,并提供了更高的集成度。內(nèi)置的保護功能,如帶有軟關斷灌電流驅(qū)動器的去飽和檢測(DESAT)、欠壓鎖定(UVLO)以及熱關斷(TSD)等,能夠確保功率器件和柵極驅(qū)動器受到保護。集成的開漏FAULT 輸出向微控制器發(fā)送故障信號,增強了安全性與可靠性。此外,IX4352NE 還能夠節(jié)省寶貴的 PCB 空間并提高電路密度,有助于提升整體系統(tǒng)效率。

對于現(xiàn)有 IX4351NE 的顯著改進包括:

●由 DESAT 啟動的安全軟關斷

●高閾值精度熱關斷

●電荷泵在熱關斷期間的工作能力

 

新款 IX4352NE 與引腳相互兼容,可以無縫替換指定使用現(xiàn)有利特福斯 IX4351NE 的設計,該設計于 2020 年發(fā)布。

IX4352NE 通過一種新型 9A 拉/灌電流驅(qū)動器拓展了我們廣泛的低側柵極驅(qū)動器系列,簡化了 SiC MOSFET 所需的柵極驅(qū)動電路。

 

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