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  當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。

  為何選擇 SiC?

  為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。如今，SiC 器件的價(jià)格已大幅下降，使其成為一種頗有吸引力的替代方案。

  SiC與GaN比較

  SiC 和 GaN 器件均屬于寬帶隙 (WBG) 類(lèi)別的器件，這些器件正在穩(wěn)步取代標(biāo)準(zhǔn) Si MOSFET。它們可以在更高的頻率下工作，因此 GaN 器件在 RF 功率應(yīng)用中得到更廣泛的應(yīng)用。SiC 器件一般能夠承受比 GaN 器件更高的電壓、電流和功率。SiC 器件開(kāi)關(guān)速度更快，效率更高，因此適合開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。另外，SiC MOSFET 包含一個(gè)體二極管。

  性能考量

  SiC 的一個(gè)重要特性是其熱導(dǎo)率是 Si 或 GaN 的三倍以上。基于 SiC 的產(chǎn)品能夠在高得多的溫度 (+175°C) 下運(yùn)行，而導(dǎo)通損耗在整個(gè)溫度范圍內(nèi)相對(duì)平穩(wěn)。另一個(gè)性能因素是 RDSon 極低，大約為 15 mΩ 或更小;即使在很高的工作電壓下，它也能達(dá)到該規(guī)格水平。這使得功率損耗大大降低，從而提升了效率。

  以下幾個(gè)重要技巧能夠幫助您在設(shè)計(jì)新的電力電子產(chǎn)品時(shí)，創(chuàng)建出基于SiC半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源，以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率。

  01拓?fù)溥x擇

  除了標(biāo)準(zhǔn)半橋和全橋電路外，還有兩種拓?fù)鋸V泛用于 SiC 器件。這兩種拓?fù)涫请p向轉(zhuǎn)換器和 Vienna 整流器。雙向架構(gòu)本質(zhì)上是降壓-升壓類(lèi)型的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，可以配置為提供兩條不同的電壓總線(xiàn)，并可以根據(jù)需要交換功率。這種架構(gòu)非常適合具有兩條電池總線(xiàn)的車(chē)輛，而所有電動(dòng)汽車(chē)和輕度混合動(dòng)力汽車(chē)都有兩條電池總線(xiàn)。理想情況下，這兩條總線(xiàn)可以相互充電。實(shí)現(xiàn)雙向轉(zhuǎn)換器的 IC 目前有市售產(chǎn)品。

  另一種拓?fù)涫?Vienna 整流器，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)采用這種拓?fù)?。它是一種三相、三電平 PWM 控制的橋式整流器。其主要應(yīng)用是大功率交流轉(zhuǎn)直流電源中的功率因數(shù)校正 (PFC)。

  02確定電壓和電流需求

  在目前 90% 以上的應(yīng)用中，SiC 器件都可以替代 IGBT。如今，很少有新設(shè)計(jì)采用 IGBT。IGBT 可以承受大約高達(dá) 1900 V 的高壓，但開(kāi)關(guān)速度較慢。SiC 器件可以應(yīng)對(duì)高電壓和電流水平，但開(kāi)關(guān)速度要快得多。SiC 晶體管承受的電壓上限為 1800 V，因此可以很好地替代 IGBT。SiC 不僅有更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而提高性能和效率，而且還能使用更小的封裝。

  03注意柵極驅(qū)動(dòng)器

  相比其他 MOSFET，SiC 晶體管需要更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。典型 SiC 晶體管需要 15 V 到 20 V 的柵極電壓才能導(dǎo)通，需要 -3 V 至 -5 V 以關(guān)斷器件。不過(guò)，大多數(shù) SiC 供應(yīng)商已經(jīng)通過(guò)特殊柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 解決了這一需求，因此很容易使用 SiC 器件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

  04盡可能使用模塊

  模塊是一個(gè)完整的預(yù)接線(xiàn) MOSFET 電路，其封裝針對(duì)尺寸和熱性能進(jìn)行了優(yōu)化。例如用于驅(qū)動(dòng)三相電機(jī)的三相橋模塊。它連接其他架構(gòu)以創(chuàng)建 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或三相整流器。模塊集成了 SiC MOSFET 和 SiC 二極管，以確保導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗較低。這種架構(gòu)在電源產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)了高效率和優(yōu)異的可靠性。

  模塊包含一個(gè)溫度傳感器(如熱敏電阻)，用于監(jiān)測(cè)熱量水平，并提供某種類(lèi)型的電路保護(hù)或溫度控制。模塊可以顯著縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，并實(shí)現(xiàn)更小的封裝。新設(shè)計(jì)的理想目標(biāo)是采用 90% 的模塊和 10% 的其他分立元器件。

  05找到可靠供應(yīng)商

  當(dāng)使用 SiC 晶體管和電路等復(fù)雜器件時(shí)，擁有一個(gè)不僅可以供應(yīng)產(chǎn)品，還能提供設(shè)計(jì)解決方案、信息和幫助的供應(yīng)商會(huì)很有益。